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厂商型号

2SA1552T-H 

产品描述

TRANS PNP BIPO 1.5A 160V TP

内部编号

277-2SA1552T-H

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:1865
1+¥4.3078
10+¥3.5761
100+¥2.1812
1000+¥1.6889
2500+¥1.4359
10000+¥1.3334
25000+¥1.265
50000+¥1.2103
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:143500
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SA1552T-H产品详细规格

规格书 2SA1552T-H datasheet 规格书
2SA1552/2SC4027
2SA1552T-H datasheet 规格书
标准包装 500
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic)(最大) 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 100mA, 5V
功率 - 最大 1W
频率转换 120MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装 TP
包装材料 Bulk
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.5A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA
标准包装 500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 160V
供应商设备封装 TP
封装 Bulk
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 100mA, 5V
晶体管极性 NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 1 W
直流集电极/增益hfe最小值 100 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 160 V
安装风格 Through Hole
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1.5 A
工厂包装数量 500
系列 2SA1552
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 1 W

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